IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах преобразователя, либо снизить рабочую температуру кристалла для применений, требующих высокой надежности. Новые модули доступны на напряжение 1200 В с током коллектора 600 А и на напряжение 1700 В с током коллектора 500 А. Топология соединения внутри модуля выполнена по схеме полумост, для 1200 В IGBT доступен вариант соединения транзисторов с общим эмиттером. Приборы также можно заказать в исполнении с…

Подробнее