IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах преобразователя, либо снизить рабочую температуру кристалла для применений, требующих высокой надежности.

Новые модули доступны на напряжение 1200 В с током коллектора 600 А и на напряжение 1700 В с током коллектора 500 А. Топология соединения внутри модуля выполнена по схеме полумост, для 1200 В IGBT доступен вариант соединения транзисторов с общим эмиттером. Приборы также можно заказать в исполнении с предварительно нанесенным теплопроводящим материалом TIM.

Технические характеристики
•напряжение/ток ­1200 В (600 А) и 1700 В (500 А);
•максимальная допустимая температура перехода Tvjop=150°C;
•изоляция 4 кВ (1 минута);
•кристаллы IGBT 4 Trench/Fieldstop;
•стандартный корпус 62 мм;
•высокие изоляционные свойства корпуса (ток утечки по воздуху и по поверхности).

Целевые применения:
•частотные электроприводы;
•источники бесперебойного питания;
•альтернативная энергетика.

Похожие записи